ترانزیستور IGBT

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق (Insulated Gate Bipolar Transistor) که بطور خلاصه IGBT نامیده می شود، در واقع چیزی بین ترانزیستور دوقطبی پیوندی معمولی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) است، که آنرا به یک سوییچ نیمه هادی ایده آل تبدیل نموده است.

ترانزیستور IGBT بهترین ویژگیهای دو نوع ترانزیستور گفته شده را داراست. امپدانس ورودی و سرعت سوییچینگ بالای MOSFET همراه با ولتاژ اشباع پایین ترانزیستور دو قطبی با یکدیگر ترکیب شده و نوع دیگری از ترانزیستور را به عنوان قطعه ای سوییچ کننده تولید نموده که قادر است جریانهای بزرگ کلکتور- امیتر را با جریان تقریبا صفر گیت، راه اندازی کند.

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق (IGBT)، تکنولوژی گیت عایق MOSFET را (مطابق با بخش اول نامش) با ویژگیهای عملکردی خروجی ترانزیستور دو قطبی معمولی (مطابق با بخش دوم نامش) ترکیب نموده است. نتیجه ی این ترکیب هیبریدی آن است که ترانزیستور IGBT ویژگیهای هدایت و سوییچینگ خروجی ترانزیستور دوقطبی را داراست ولی مانند ترانزیستور MOSFET توسط ولتاژ کنترل میشود.

ادامه این مقاله در سایت بازاربرق