رشد اپیتکسیال وپوشش دهی توسط فرایند MBE
چکیده
در رشد مرتب کریستالی(Ordered) ، کریستال های رشد یافته با یک الگوی دیگر نسبت به لایه زیرین رشد یافته و لایه های جدید را تشکیل می دهند ولی در فرایند رشد اپیتکسال اتم های پوشش با توجه با ساختار کریستالی زیرلایه رشد کرده و ساختار کریستالی مشابه ساختار زیرین خود ایجاد می کنند. روش های مختلفی برای انجام رشد اپیتکسیال وجود دارد که یکی از این روش ها روش MBE می باشد که در این روش با ایجاد یک خلا بسیار بالا با کنترل لایه به لایه و دقیق رشد اپیتکسیال صورت می گیرد.در این روش ماده با خلوص بسیار بالا داخل سلول های تبخیر قرار می گیرد و در اثر حرارت بالا به صورت اتم در می آید. در اثر خلا بالا این اتم ها به طرف سطح زیرسازه حرکت کرده و با رشد اپیتکسیال باعث ایجاد یک پوشش مقاوم روی سطح می شوند.در این روش با استفاده از چند سلول تبخیر می توان ساختار پیچیده ای را روی سطح رشد داد.برخلاف سایر روش های گوشش دهی، پوشش های ایجاد شده توسط این روش علاوه بر استفاده به عنوان محافظ یا افزایش سختی سطح، خواص الکتریکی،نوری و مکانیکی خاصی را ایجاد می کند. در این مقاله به معرفی این روش به عنوان یکی از جدیدترین روش های پوشش دهی رسانا ها و نیمه رسانا ها پرداخته شده همچنین تاثیر پارامتر های مختلف روی فیزیک فرایند، ،مزایا و معایب فرایند وکاربرد های فرایند بررسی شده است.
واژه های کلیدی: رشد اپیتکسیال، فرایند MBE
