A3P125-VQ100T
آیسی فلش ProASIC3 یک آیسی نسل سوم از خانواده فلش های FPGAs میکروسمی می باشد. عملکرد خوب و تراکم این آیسی فلش ، دلیلی بر ارائه ویژگی هایی فراتر از خانواده ProASICPLUS ® می باشد.
قیمت
- قیت همکار / عمده فروشی :
-
استعلام قیمتclose
- قیمت هر عدد :
- از 125 تا 135 ریال
- تاریخ به روزرسانی قیمت :
- 18 تير 1396
اطلاعات تامین کننده
دانش گستران
تهرانوارد کننده، عمده فروش، خرده فروش، خدمات
واردات انواع آی سی های نظامی، ماژول، برد، کیت، کانکتور، مقاومت، خازن، soft ware
مشاهده سایت فروشندهخرید از تامین کنندگان برتر پارس سنتر!
تامین کنندگان برتر پارس سنتر سرعت پاسخگویی بالاتر و محصولات بروز تری نسبت به سایر تامین کنندگان دارند.
مشخصات
- شرکت سازنده
- میکرو سمی
- فروش به صورت
- عمده فروشی
- مدل
- VQ100T FPGA
- کشور سازنده
- ایالات متحده آمریكا
- Product Category
- FPGA - Field Programmable Gate Array
- Number of I/Os
- 71 I/O
- Operating Supply V
- 1.5V
- Minimum Op Temp
- 0 C
- Maximum Op Tem
- + 70 C
- Package/Case
- VQFP
توضیحات محصول
آیسی فلش ProASIC3 یک آیسی نسل سوم از خانواده فلش های FPGAs میکروسمی می باشد. عملکرد خوب و تراکم این آیسی فلش ، دلیلی بر ارائه ویژگی هایی فراتر از خانواده ProASICPLUS ® می باشد.
فن آوری فلش غیر فلزی بکار رفته در این دستگاه به ProASIC3 این امکان را می دهد که به عنوان یک منبع حافظه امن ؛ با مصرف کم و تراشه ای با کارکرد سریع شناخته شود. از دیگر ویژگی های آن قابل برنامه ریزی شدن دوباره ؛ مزیت ارائه زمان بندی هزینه مارکت در سطح ASIC می باشد. این ویژگی ها به مهندسین این امکان را می دهد که سیستم هایی با تراکم های بالا را با استفاده از جریان هاو ابزارهای موجود در ASIC یا FPGA را طراحی کنند.
به طور خلاصه این فلش یک حافظه 1 کیلو بایتی قابل برنامه ریزی مجدد با فضای ذخیره سازی فلش امن و غیر قابل فرار و همچنین دارای سیستم تهویه مطبوع مبتنی بر حلقه یکپارچه فاز قفل شده است .
Manufacturer:Microsemi
Product Category:FPGA - Field Programmable Gate Array
Number of I/Os:71 I/O
Operating Supply Voltage:1.5V
Minimum Operating Temperature:0 C
Maximum Operating Temperature:+ 70 C
Package/Case:VQFP
Height:1MM
Length:14MM
Maximum Operating Frequency:231 MHz
Supply Voltage - Max:1.575 V
Supply Voltage - Min1.425 V